В рамках Участники надеются установить фундаментальные физические закономерности квантовых и топологических полупроводниковых материалов, гетеросистем и структур, а главное, определить возможности их использования для перспективной посткремниевой электроники на новых физических принципах.
В Институте президент РАН встретился с экс-председателем Сибирского отделения РАН, ученым-физиком Александром Асеевым. Александр Леонидович отметил, что разработки института очень востребованы. Сегодня Александр Асеев возглавляет отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур - один из ключевых в Институте физики полупроводников.
Директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН Александр Латышев рассказал о первых результатах проекта. Уже разработаны основы технологии базовых наноэлементов для компьютеров нового поколения, динамически управляемых метаматериалов и плазмонных наноприборов. Среди участников проекта: Новосибирский государственный университет, Институт прикладной физики РАН, Санкт-Петербургский государственный университет, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН.
"Наличие подобных проектов - большой плюс. Ведь речь идет не только об объединении научных ресурсов, но и объединении технологий, приборной базы", - отметил Латышев. "Нас окружает цифровая трансформация. В основе всех достижений лежит элементная база, на которой всё это выполнено. Основа всего - транзистор. Современные тенденции связаны с уменьшением геометрического размера транзистора. Уже создаются микросхемы, основанные на 50-ти млрд транзисторах".
Одной из основных технологий современной полупроводниковой электроники считается молекулярно-лучевая эпитаксия. Специфика метода характеризуется осаждением испарённого в молекулярном источнике вещества на кристаллическую подложку. Несмотря на достаточно простую идею, реализация данной технологии требует чрезвычайно сложных технических решений, как пишет электронное периодическое издание «Научная Россия».
